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电学性能检测仪器

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碳化硅晶圆电阻率测量仪

碳化硅晶圆电阻率测量仪

型    号: GEST-201
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碳化硅晶圆电阻率测量仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

GEST-201碳化硅晶圆电阻率测量仪的详细资料:

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

一、产品概述

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

二、仪器构成:

1、 高精度电阻率测试仪

3、 测试探头

高精度电阻率测量仪:

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2电流误差:±0.5%

三坐标测试移动品台:

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

四探针测试电极:

上位机软件测量成像系统

2、 测量点数:可以设定

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

 

 

 

此拉伸负荷应迅速而平稳从零上升到大约为额定机械负荷SML的75%,然后在30s〜90s的时间内逐渐上升到额定机械负荷SML。为从试验中获得更多的资料,除非有特殊原因(如试验机的大拉伸负荷),负荷应当一直上升到破坏负荷,如果符合下列规定,——在额定机械负荷的70%下96h试验(6.4.2a))和*额定机械负荷下1min耐受试验(6.4.2c))均无破坏发生(芯棒断裂或拉脱,或金属附件破裂);——用6.4.2b)中所述的染色渗透法没有出现裂纹;——研究6.4.2b)中所述切成两半的情况能清楚表明开裂没有达到芯棒。用户和制造厂协商进行此试验,协商可接受的大无线电干扰水平。此试验应根据JB/T3567进行。

必要时,绝缘子应在屏蔽电场的环境中测试。抽样试验使用两种样本,Ei和秩,此两种样本的大小见下表。若被检验绝缘子多于10000只,则应将它们分成几批,每批的数量在2000〜10000只。试验结果应分别对每批作出评定。绝缘子应从该批中随机地抽取,买方有权抽取。对抽取样本进行相应的抽样试验。—尺寸检査(Ei+E0);——验证金属附件和伞套间界面的渗透性(互)和验证额定机械负荷的试验(E。——镀锌层试验(剧);——陡波前冲击耐受电压试验(EQ。

 

 

 

 

碳化硅晶圆电阻率测量仪

碳化硅晶圆电阻率测量仪