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电学性能检测仪器

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半导体硅片电阻率成像测量仪

半导体硅片电阻率成像测量仪

型    号: GEST-201
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半导体硅片电阻率成像测量仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

GEST-201半导体硅片电阻率成像测量仪的详细资料:

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

一、产品概述

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

二、仪器构成:

1、 高精度电阻率测试仪

3、 测试探头

高精度电阻率测量仪:

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2电流误差:±0.5%

三坐标测试移动品台:

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

四探针测试电极:

上位机软件测量成像系统

2、 测量点数:可以设定

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

 

 

 

国际大电网会议工作组22.10“复合绝缘子”提出的报告,ElectraNo年5月。此装置由挂钩A,释放杆B,安装板C组成。挂钩A能绕安装在板C上的枢轴旋转。拉伸负荷靠销或钩环D施加到绝缘子上。当绝缘子受到负荷时,释放杆处于实线所示位置。因释放杆B较长,很小的力就能使杆B绕它的枢轴旋转。

移到虚线所示位置,并使枢轴沿X方向移动。释放杆的这种操作将引起挂钩绕它的枢轴转动,从而释放销或钩环D。此装置由旋在两端部金属夹块F和G上的断裂块E组成,此两夹块使绝缘子与拉力机相连。断块E是哑铃形状,其直径已用所用钢材和要求的破坏负荷校正好。本附录的试验程序由国际大电网会议工作组22.10“复合绝缘子”提出,并且在C.3文献〔1〕中报导。本试验除了对试品施加系统高工频电压(UJ而)外,——太阳辐射模拟;人工雨;干热;湿热(接近饱和状态);——箱温下的高潮湿度;—轻度盐雾。此外,温度的变化也可能会产生某处程序的机械应力,特别是在绝缘子的界面层上。而且在一个循环过程中,会重复出现数次凝露现象。——每一个循环持续24h,每两个小时按程序改变一个试验条件。

——当停止加热和加湿时,绝缘子处于箱(室)温(15C〜25笆)和相对湿度(30%〜60%的相对温度>下。温度从环境温度升高到50C的时间应少于15min。98%的要求值。——当经过加热到50°C和加湿到相对湿度98%的程序后,通过试验箱(室)的自然冷却达到的饱和状态,使绝缘子上出现水滴。此时要停止排风。箱(室)温降到环境温度的时间约2h

 

 

 

 

半导体硅片电阻率成像测量仪

半导体硅片电阻率成像测量仪