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电学性能检测仪器

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半导体硅片电阻率成像测定仪

半导体硅片电阻率成像测定仪

型    号: GEST-201
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半导体硅片电阻率成像测定仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

GEST-201半导体硅片电阻率成像测定仪的详细资料:

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

一、产品概述

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

二、仪器构成:

1、 高精度电阻率测试仪

3、 测试探头

高精度电阻率测量仪:

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2电流误差:±0.5%

三坐标测试移动品台:

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

四探针测试电极:

上位机软件测量成像系统

2、 测量点数:可以设定

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

 

 

 

 

——按照IEC60405的要求进行降雨和喷盐雾。——将绝缘子放置距5000W盗弧灯约48cm以内就可达到模拟太阳辐射。注:为了引用方便,各条款号与本标准正文相同。相同设计、材料和工艺情况下,只进行一次。依次在至少800mm长的3只试品上进行。-陡波前冲击电压:两个电极间的距离为500mm;

无击穿,依次在至少800mm长的6只试品上进行。没有破坏、没有完全抽出。2只试品,爬电距离在484mm至693mm之间。电压:1kV每34.6mm的爬电距离,不超过3次过流中断,没有起痕,没有击穿,没有蚀损至芯棒。注:对在恶劣的环境条件下使用的绝缘子,由用户和制造厂协议可采用两种供选择的试验程序。10只试品,6只试品,无击穿,无闪络,5只试样,依次在绝缘距离不小于800mm的4只试品上进行。注:本项试验进行与否,以及试验电压和接受的干水平,由相关产品标准或供需双方协议规定。无破坏,无裂纹或裂纹未达到芯棒。陡波前冲击电压,两电极间相隔500mm,正负极性各25次外部闪络。在下表D.1中综合给出所有试验及其次序和试品数量。

表E.1给出了本标准与IEC1992技术性差异及其原因的一览表。5.1.4.2陡度由“不小于1000kV/橢”修改为'陡度不小于1000kV/Ms但上限不超过5。陡度应该有范围,以便调整波形;对于整只正常生产的产品的爬电比距大于20mm/kV时,试验电压应经供需双方协议确定

 

 

 

半导体硅片电阻率成像测定仪

半导体硅片电阻率成像测定仪