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电学性能检测仪器

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半导体硅片电阻率成像测试仪

半导体硅片电阻率成像测试仪

型    号: GEST-201
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半导体硅片电阻率成像测试仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

GEST-201半导体硅片电阻率成像测试仪的详细资料:

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

一、产品概述

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

二、仪器构成:

1、 高精度电阻率测试仪

3、 测试探头

高精度电阻率测量仪:

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2电流误差:±0.5%

三坐标测试移动品台:

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

四探针测试电极:

上位机软件测量成像系统

2、 测量点数:可以设定

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

 

 

 

此负荷和相应的温度应由用户根据运行条件来确定。EML要超过上面定义的OMLo并假定在此超常规负荷下绝缘子将不会出现*变形。此负荷是指绝缘子在整个寿命期,且是很短时间内(例如1min)可能承受到的高负荷,并高于超常规机械负荷。

注:在绝缘子使用期内,在此负荷下绝缘子不应发生机械上的分离,但允许出现*变形。确定用户的负荷-时间直线仅需两个负荷,而且足以检査第三个负荷点是否落在该直线上或在其下面。这些负荷是用户根据运行条件确定的,如果用户知道实际负荷的累计频度曲线,即可直接采用此曲线。如果确定负荷-时间直线*点的负荷按主管部门规定的基本负荷,加上安全因数进行确定,则该负荷可按其预期时间长度在图表上标出。很明显,也可用其他方式绘制此直线。绝缘子机械耐受-时间曲线(图A.3)定义了一个特定负荷可以施加的时间,而在随后进行的1min机械负荷试验时,高于额定机械负荷破坏的概率很高。在短于50年的运行期内,机械耐受-时间曲线均应高于负荷-时间直线。

作为对使用者的指导,通常的做法是在某一温度或非的气候条件下使用以下已定义的各机械负荷值间的比值:如MML取为单元值(L0),EML大约可取为0.6,而OML取在0.2和0.33之间。这些比值基于予期约50年寿命期。图A.3示岀了用户的负荷-时间直线和由设计试验和型式试验验证过的绝缘子的机械耐受-时间曲线间的比较。m“复合绝缘子低要求的技术依据”。

 

 

 

 

 

 

半导体硅片电阻率成像测试仪

半导体硅片电阻率成像测试仪