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四探针法晶圆电阻率测量仪

四探针法晶圆电阻率测量仪

型    号: GEST-201
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四探针法晶圆电阻率测量仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

GEST-201四探针法晶圆电阻率测量仪的详细资料:

全自动晶圆成像电阻率测试仪

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

产品型号:GEST-201

一、产品概述

本仪器主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试

二、仪器构成:

本仪器主要组成部分有:

1、 高精度电阻率测试仪

2、 三坐标测试移动平台

3、 测试探头

4、 上位机软件测量成像系统

高精度电阻率测量仪:

1、测量范围

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.2电导率:0.00005~10000 s/cm;

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2、电压测量:

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.2分辨力:10μV;

2.3 精度:±0.1% ;

2.4显示:触摸屏操作显示

3、恒流源:

3.1电流输出:10μA, 100μA, 1mA, 10mA, 100mA, 1A,

3.2电流误差:±0.5%

3.3各档连续可调

三坐标测试移动品台:

1、X轴Y轴移动行程:120MM

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

3、R轴*小分度值:0.0125°C

四探针测试电极:

1、间距:1±0.01mm;
2、针间绝缘电阻:≥1000MΩ; 
3、机械游移率:≤0.3%;
4、探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;
5、 探针压力:5~16 牛顿(总力);

上位机软件测量成像系统

1、 测量方式:弧度测量、角度测量

2、 测量点数:可以设定

3、 测试数据:实时同步显示

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

5、 数据导出:可以保存测试数据生成电子版本

 

 

 

而不应产生击穿,然后撤去构成区段所用的电极。按照5.1.2所给出的程序对每一只试品再次测定干工频闪络电压。每一只试品的闪络电压平均值不得低于按5.1.2测得值的90%。5.1.2测得它的平均闪络电压的80%的电压,持续30min。试验不应产生击穿,用在生产线上制成的6只绝缘子进行试验,绝缘子的长度(金属附件至金属附件的绝缘距离)应不小于800mm,两端金属附件应与生产线上的绝缘子所采用的相同。芯棒的端部连接区应相同,但芯棒端部以外的部分可作适当修改,以避免联接的破坏。对此6只绝缘子进行外观检查,并核对其尺寸是否符合图纸。注:若制造厂只生产短于800mm的绝缘子,设计试验也可在现有长度的绝缘子上进行。

对3只试品施加拉伸负荷。此拉伸负荷应迅速而平稳地从零升高到大约为芯棒预期机械破坏负荷的75%,然后在30s至90s的时间内逐渐升高到芯棒破坏或完全抽出。终导致联接破坏的任何试验应当不计入。算出其3只试品的破坏负荷平均值。对剩余3只试品施加拉伸负荷,两只试验绝缘子的爬电距离应在484mm到693mm之间。若试验的绝缘子不能从生产线上取得,则应从别的绝缘子上切下制成专门的试品,使其爬电距离在给定值之间。此专门试品应装上正常生产用的金属附件。此试验是在14kV〜24kV范围内的稳定工频电压和盐雾条件下的一种限定时间的连续试验。试验电压千伏数应按爬电距离毫米数除以34.6(等于爬电比距20mm/kV)来确定。

 

 

 

 

四探针法晶圆电阻率测量仪

四探针法晶圆电阻率测量仪