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四探针法晶圆电阻率测定仪

四探针法晶圆电阻率测定仪

型    号: GEST-201
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四探针法晶圆电阻率测定仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

GEST-201四探针法晶圆电阻率测定仪的详细资料:

全自动晶圆成像电阻率测试仪

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

产品型号:GEST-201

一、产品概述

本仪器主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试

二、仪器构成:

本仪器主要组成部分有:

1、 高精度电阻率测试仪

2、 三坐标测试移动平台

3、 测试探头

4、 上位机软件测量成像系统

高精度电阻率测量仪:

1、测量范围

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.2电导率:0.00005~10000 s/cm;

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2、电压测量:

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.2分辨力:10μV;

2.3 精度:±0.1% ;

2.4显示:触摸屏操作显示

3、恒流源:

3.1电流输出:10μA, 100μA, 1mA, 10mA, 100mA, 1A,

3.2电流误差:±0.5%

3.3各档连续可调

三坐标测试移动品台:

1、X轴Y轴移动行程:120MM

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

3、R轴*小分度值:0.0125°C

四探针测试电极:

1、间距:1±0.01mm;
2、针间绝缘电阻:≥1000MΩ; 
3、机械游移率:≤0.3%;
4、探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;
5、 探针压力:5~16 牛顿(总力);

上位机软件测量成像系统

1、 测量方式:弧度测量、角度测量

2、 测量点数:可以设定

3、 测试数据:实时同步显示

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

5、 数据导出:可以保存测试数据生成电子版本

 

 

 

 

注:若整只正常生产的产品的爬电比距大于20mm/kV时,试验电压应经供需双方协议确定,式中:U——试验电压,kV;P—生产线产品按系统高运行电压换算的爬电比距,mm/kV;L--试品的爬电距离,mm。此试验应在潮湿、密封、防锈的雾室中进行,雾室的容积不应超过10m应备有一个不大于80cm。的孔,以便自然排气。用涡轮喷雾器或具有恒定喷射能力的室内喷雾装置用作为水的喷雾器。雾应充满试验室且不应直接喷向试品。将由NaCl和去离子水配制好的盐水装入喷雾装置中。为了得到工频试验电压,应使用的试验变压器当高压侧带有阻性电流250mA(r.m.s.)的负荷时,试验回路大电压降不超过5%。保护水平应调整到lA(r.m.s.)°在开始试验前。

试品应用去离子水清洗。试验时一只试品应水平地安装(大约在雾室高度的一半位置处),第二只试品应垂直安装,水流的速率是以升每小时和每立方米试验室体积来定义的。不允许用循环水。注:为便于检査,允许试验有几次中断.但每次中断不应超过15min,中断的时间不应计入试验时间内。对于严酷环境条件(强烈的阳光照射,频繁的温度变化并凝露,由JB/T5895所定义的重污秽或严重污秽),可经用户和制造厂间协议采用附录C所述的试验方法。若每只被试试品没有出现超过3次过流中断,不产生起痕,蚀损没有腐蚀到玻璃纤维芯棒,芯棒不应能看见,伞裙没被击穿,则认为试验通过。目前,还不能提出允许蚀损开裂数目定量化考核的可靠准则。随着本试验经验的进一步积累。

 

 

 

 

四探针法晶圆电阻率测定仪

四探针法晶圆电阻率测定仪