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晶圆非接触法电阻率测定仪

简要描述:晶圆非接触法电阻率测定仪主要通过四探针法测试单晶硅电阻率,具有自动定位的三坐标自动测量系统,可以自由设置测量点数量,自动测试完成,可以对测试出的数据进行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圆电阻率测试仪器。

  • 产品型号:GEST-201
  • 厂商性质:生产厂家
  • 更新时间:2022-11-16
  • 访  问  量:567
详情介绍

产品名称:全自动晶圆成像电阻率测试仪

一、产品概述

仪器采用了*电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。

二、仪器构成:

1、 高精度电阻率测试仪

3、 测试探头

高精度电阻率测量仪:

1.1电阻率:0.00001~20000Ω.cm (可扩展)

1.3电阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2电流误差:±0.5%

三坐标测试移动品台:

2、X轴Y轴*小位移量:0.125MM

四探针测试电极:

上位机软件测量成像系统

2、 测量点数:可以设定

4、 2D成像:测试完成后,可以立体成像

 

 

对此6只绝缘子进行外观检查,并核对其尺寸是否符合图纸。注:若制造厂只生产短于800mm的绝缘子,设计试验也可在现有长度的绝缘子上进行。

对3只试品施加拉伸负荷。此拉伸负荷应迅速而平稳地从零升高到大约为芯棒预期机械破坏负荷的75%,然后在30s至90s的时间内逐渐升高到芯棒破坏或*抽出。终导致联接破坏的任何试验应当不计入。算出其3只试品的破坏负荷平均值。对剩余3只试品施加拉伸负荷,两只试验绝缘子的爬电距离应在484mm到693mm之间。若试验的绝缘子不能从生产线上取得,则应从别的绝缘子上切下制成专门的试品,使其爬电距离在给定值之间。此专门试品应装上正常生产用的金属附件。此试验是在14kV〜24kV范围内的稳定工频电压和盐雾条件下的一种限定时间的连续试验。试验电压千伏数应按爬电距离毫米数除以34.6(等于爬电比距20mm/kV)来确定。

注:若整只正常生产的产品的爬电比距大于20mm/kV时,试验电压应经供需双方协议确定,式中:U——试验电压,kV;P—生产线产品按系统高运行电压换算的爬电比距,mm/kV;L--试品的爬电距离,mm。此试验应在潮湿、密封、防锈的雾室中进行,雾室的容积不应超过10m应备有一个不大于80cm。

 

 

 

晶圆非接触法电阻率测定仪

晶圆非接触法电阻率测定仪

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